对于传统半导体器件，主要通过执行IV、CV表征，实现快速、精准的全方位测量和分析功能。随着电子电力的发展，功率器件的使用越来越多，SiC、GaN等宽禁带半导体被广泛应用于射频，超高压等领域，为适应特高压输电，电动汽车充电桩等超高压应用，宽禁带材料一直是研究方向的热点。